1. Highгары чисталыклы материал әзерләүдә уңышлар
Силиконга нигезләнгән материаллар: Кремний бер кристаллларның чисталыгы 1313 (99.9999999999%) узып китте, йөзү зонасы (FZ) ысулы ярдәмендә, югары көчле ярымүткәргеч җайланмаларның (мәсәлән, IGBT) һәм алдынгы чиплар45. Бу технология кислород белән пычрануны киметә, бушлай процесс аша һәм силан CVD һәм үзгәртелгән Siemens ысулларын берләштерә, зонада эретү полисиликоны эффектив җитештерүгә ирешү өчен.
Германия материаллары: Оптимальләштерелгән зонаны эретү чистарту германий чисталыгын 13Нга күтәрде, пычраклыкны тарату коэффициентларын яхшыртып, инфракызыл оптика һәм нурланыш детекторларында куллану мөмкинлеген бирә. Ләкин, эретелгән германий һәм югары температурада җиһаз материаллары арасындагы үзара бәйләнеш критик проблема булып кала.
2. Процесс һәм җиһазлардагы яңалыклар
Динамик параметрлар белән идарә итү: зонаның хәрәкәт тизлеген, температура градиентларын, саклагыч газ мохитен эретү өчен көйләүләр - реаль вакыттагы мониторинг һәм автоматлаштырылган кире элемтә системалары белән берлектә, германий / кремний һәм җиһазлар арасындагы үзара бәйләнешне киметкәндә процесс тотрыклылыгын һәм кабатлануын арттырдылар.
Полисиликон җитештерү: Зонаны эретүче полисиликон өчен романның масштаблы ысуллары традицион процессларда кислород эчтәлеген контрольдә тоту, энергия куллануны киметү һәм уңышны арттыру47.
3. Технология интеграциясе һәм дисциплинар кушымталар
Мел кристаллизация гибридизациясе: Органик кушылмаларны аеру һәм чистартуны оптимальләштерү, фармацевтик арадашчыларда һәм яхшы химикатларда зонаны эретү заявкаларын киңәйтү өчен, аз энергияле эретү кристаллизация техникасы интеграцияләнә.
Өченче буын ярымүткәргечләр: Зонаны эретү хәзерге вакытта югары ешлыклы һәм югары температуралы җайланмаларга ярдәм итеп, силикон карбид (SiC) һәм Игалий нитрид (GaN) кебек киң полосалы материалларга кулланыла. Мәсәлән, сыек фазалы бер кристалл мич технологиясе төгәл температура контроле аша SiC кристаллының тотрыклы үсешен тәэмин итә.
4. Диверсификацияләнгән кушымта сценарийлары
Фотовольтаика: Зонаны эретүче полисиликон югары эффектив кояш күзәнәкләрендә кулланыла, фотоэлектрик конверсия эффективлыгына 26% ка ирешә һәм яңартыла торган энергиядә алга китешләр4.
Фрафред һәм Детектор Технологияләре: Ультра югары чисталыклы германий миниатюрлаштырылган, югары җитештерүчән инфракызыл сурәтләү һәм хәрби, куркынычсызлык һәм граждан базарлары өчен төн күрү җайланмалары мөмкинлеген бирә 23.
5. Чаллылар һәм киләчәк юнәлешләр
Ипурлыкны бетерү чикләре: Хәзерге ысуллар җиңел элементлы пычракларны (мәсәлән, бор, фосфор) бетерү белән көрәшәләр, яңа допинг процессларын яки динамик эретү зонасын контрольдә тоту технологияләрен таләп итәләр.
Иһазларның ныклыгы һәм энергия эффективлыгы: Тикшеренүләр төп температурага чыдам, коррозиягә чыдам критик материалларны һәм энергия куллануны киметү һәм җиһазларның гомер озынлыгын арттыру өчен радиоэффектлы җылыту системаларын үстерүгә юнәлтелгән. Вакуум дугасын эретү (VAR) технологиясе металл эшкәртү өчен вәгъдә күрсәтә47.
Зонаны эретү технологиясе тагын да чисталыкка, арзанрак бәягә, киң кулланылышка таба бара, ярымүткәргечләрдә, яңартыла торган энергиядә һәм оптоэлектроникада аның ролен ныгыта.
Пост вакыты: 26-2025 март