7N теллур чистарту процессы зона чистарту һәм юнәлешле кристаллизация технологияләрен берләштерә. Төп процесс детальләре һәм параметрлары түбәндә күрсәтелгән:
1. Зонаны эшкәртү процессы
Җиһазлар дизайны
Күп катламлы боҗрасыман зоналы эретү көймәләре: Диаметры 300–500 мм, биеклеге 50–80 мм, югары сафлыклы кварц яки графиттан эшләнгән.
Җылыту системасы: ±0,5°C температураны контрольдә тоту төгәллеге һәм 850°C максималь эш температурасы булган ярымтүгәрәк резистив катушкалар.
Төп параметрлар
Вакуум: Оксидлашу һәм пычрануны булдырмас өчен, ≤1×10⁻³ Па.
Зона хәрәкәте тизлеге: 2–5 мм/сәг (җитәкче валы аша бер юнәлешле әйләнү).
Температура градиенты: эрегән зона алгы өлешендә 725±5°C, арткы кырыенда <500°C кадәр суына.
Үтәрлек: 10–15 цикл; аеру коэффициенты <0,1 булган катнашмалар өчен (мәсәлән, Cu, Pb) бетерү нәтиҗәлелеге >99,9%.
2. Юнәлешле кристаллашу процессы
Эретмә әзерләү
Материал: зоналы рафинадлау аша чистартылган 5N теллур.
Эрү шартлары: 500–520°C температурада югары ешлыклы индукцион җылыту ярдәмендә инертлы Ar газы астында (≥99.999% сафлык) эретелә.
Эретмәдән саклау: очучанлыкны басу өчен югары сыйфатлы графит каплагыч; эретелгән күл тирәнлеге 80–120 мм дәрәҗәсендә саклана.
Кристаллашуны контрольдә тоту
Үсеш тизлеге: 1–3 мм/сәг, вертикаль температура градиенты 30–50°C/см.
Суыту системасы: Көчләп аскы өлешен суыту өчен су белән суытылган бакыр нигез; өске өлешендә радиацияле суыту.
Пычлануны аеру: Fe, Ni һәм башка катнашмалар 3–5 кабат эретү циклыннан соң бөртек чикләрендә баетыла, шуның белән концентрацияләр ppb дәрәҗәсенә кадәр кими.
3. Сыйфат контроле күрсәткечләре
Параметрның стандарт кыйммәте сылтамасы
Соңгы сафлык ≥99.99999% (7N)
Гомуми металл катнашмалары ≤0.1 ppm
Кислород күләме ≤5 ppm
Кристалл юнәлешенең тайпылышы ≤2°
Каршылык (300 К) 0,1–0,3 Ω·см
Процесс өстенлекләре
Масштаблау мөмкинлеге: Күп катламлы боҗрасыман зоналы эретү көймәләре партия сыйдырышлыгын гадәти конструкцияләр белән чагыштырганда 3–5 тапкыр арттыра.
Нәтиҗәлелек: Төгәл вакуум һәм җылылык контроле пычракны югары дәрәҗәдә бетерү мөмкинлеген бирә.
Кристалл сыйфаты: Бик әкрен үсеш тизлеге (<3 мм/сәг) түбән дислокация тыгызлыгын һәм монокристалл бөтенлеген тәэмин итә.
Бу эшкәртелгән 7N теллур алдынгы кушымталар, шул исәптән инфракызыл детекторлар, CdTe юка пленкалы кояш батареялары һәм ярымүткәргеч субстратлар өчен бик мөһим.
Сылтамалар:
теллурны чистарту буенча экспертлар тарафыннан каралган тикшеренүләрдән алынган эксперименталь мәгълүматларны билгеләгез.
Бастырып чыгару вакыты: 2025 елның 24 марты